驱动两个N沟道MOSFET或IGBT高侧/低侧配 TF2110, TF2113是高电压,高速MOSFET和IGBT驱动器
置浮动高侧驱动器可以驱动的门电压高达 具有独立的高侧和低侧输出。 高侧驱动器提供浮动电
500V/600V 源高达500V / 600V。10ns (最大值)/20ns (最大值)的
灌2.5A / 2.5A源的典型输出电流 传播延迟匹配之间的高侧驱动器和低侧驱动器允许高
负瞬态输出宽容 频操作。
栅极驱动器宽电源电压范围:10V到20V 而驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲
逻辑输入宽电压范围:3.3V至20V 设计,TF2110和TF2113逻辑的输入兼容标准CMOS电平
宽逻辑电源偏移电压范围:-5V至5V (低至3.3V)。
10ns (TF2110)/ 20ns (TF2113) 的最大延迟匹配
TF2110,TF2113提供16引脚SOIC封装和14引脚PDIP封
27 ns (典型值)的上升/ 17 ns (典型值)下降
装。 他们工作在-40°C至+125°C温度范围。
时间与1000 pF负载
120 ns (典型值)的导通/ 94 ns(典型值) 的
关断延迟时间 订购信息 Ordering Information
过低压锁定高侧和低侧驱动器 YY=年份 WW=星期
逐周期边沿触发关断电路 零件号 (NOTE1) 封装 包/数量 编号
扩展温度范围:-40°C至+125°C TF2110-3BS PDIP-14 Tube / 25
直接替代IR2110 / IR2113 YYWW
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