真空激光靶室

主真空室：为激光镀膜提供超高真空环境，尺寸：Φ400×500；主真空室
（靶室）设计为圆柱形，内部设有基片安装架及基片辅助加热装置、靶材安装架；靶
室周边设置有激光入射窗口、观察窗口、抽真空法兰接口、真空测量接口、电极法兰
接口、离子束炉源接口及预留接口，接口法兰均采用ISO-CF高真空法兰标准，基片
加与靶架均可上下调节。
过渡真空室：主要是保证样品传递过程中不破坏超高真空靶室内的真空，
尺寸：Φ300×300，设计为圆柱形结构。内部设有样品交接过程中的过渡安装架，样
品架可升降可旋转。预留与手套箱联接法兰接口。
磁控溅射靶室：可安装多只磁控靶，并配有进气装置，方便为基片镀制多
层复合膜，尺寸：Φ200×300，设计为圆柱形。
样品及靶的传递与交接均通过磁力传递装置与机械手完成，均为外部操作。


可选配置：a 手套箱－用于装卸基片及靶材，并可存储相关备品。
b 激光控制器－可精度控制激光的扫描范围及形状。
c 装卸料室－用于在不破坏系统真空的情况下装取工件。


抽真空部分
激光靶室抽空采用二级真空泵，主泵选分子泵，型号FB-1300C，水平安装；
前级泵选双级旋片泵，型号为VD301，主抽阀选用CCQ-200电气动闸板阀。
过渡真空室主抽泵选用FB-600复合分子泵，垂直安装；前级泵选用ND201
机械泵，主阀选用CCQ-160电气动闸板阀。
磁控靶室主抽泵选用FB-600复合分子泵，垂直安装；前级泵选用ND201
机械泵，主阀选用CCQ-160电气动闸板阀管路抽高真空。


测量部分
激光靶室内超高真空测量选用金属规，低真空规安装在分子泵前级。真
空计：全量程真空计，型号：5201，测量范围：大气~10-8Pa。带控制输出，可实现
自动控制。
过渡室与进料室均选用ZDF-5227复合真空计，测量范围：大气~10-6Pa。
靶室极限真空度：<2×10-6Pa。系统连续烘烤48小时后测量。
靶室工作真空度：<5×10-6Pa。在不破坏靶室真空的情况下，达到工作真
空度的时间小于3小时。
靶室与过渡室从大气抽至5×10-3Pa≤20min（冷态下）
靶室内真空升压率（无工件时）：不大于0.8Pa/h
基片温度由铠装热电偶测量，温度范围：常温～1500℃
激光靶室与磁控靶室内进气压力由电容式薄膜真空计测量。


控制部分
所有电源、仪表及控制电路均安装在一独立的电控柜内，并设有操作面板，
标识清楚，便于操作。
温控部分：加热装置温度由室温~800℃可控可调。温控仪选用EP93程序
控制仪，并配合可控硅调功模块，可实现线性控温。
控温精度：±2℃
温度均匀性：±5℃。
加热及控制方式：采用高温合金丝绕制于耐高温绝缘盘内进行加热，并设
置热屏蔽层，保证热量均匀辐射在基片上。
照明装置：靶室与过渡室内各设置一照明灯，便于观察室内情况。
操作面板上印制工作原理图，并配有工作指示灯，便于显示各部件的工作
情况，避免发生误操作。
开关按键、继电器等元器件均选用品牌产品，以保证控制系统的可靠性。
电路部分配置必须符合电工标准，采用强弱电分离，设置漏电保护开关，
并可靠接地。

机架部分
主体框架采用型钢焊制，表面喷塑处理。
机架可移动，可锁定。